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硅光子(SiPh)器件的新型边缘耦合探头解决方案

2022/7/24 14:32:40      点击:

硅光子(SiPh)器件的新型边缘耦合探头解决方案

        我们最近宣布了新的边缘耦合功能,这些功能增强了用于CM300xi探针台的硅光子(SiPh)解决方案,使我们能够扩展将光纤耦合到SiPh器件边缘的能力,以用于单个管芯和晶片。

Integrated Silicon Photonics Wafer Probing Solution on 300 mm Probe Station CM300

        我们最近宣布了新的边缘耦合功能,这些功能增强了我们的硅光子(SiPh)解决方案,CM300xi探针台。这些功能使我们能够扩展将光纤耦合到SiPh器件边缘的能力,以用于单个管芯和晶片,从而使测试工程师能够测量与原始操作条件一致的器件性能。新的机器视觉技术和现场校准以及是德科技的测试自动化平台(TAP)软件的集成,使客户能够更快地将产品推向市场。

        根据来自Inkwood Research的研究预计在2019-2027年的整个预测年中,全球硅光子市场将以19.70%的复合年增长率增长。”通过使用光信号而不是电信号来快速传输大量数据,硅光子技术一直在推动数据中心和汽车应用领域的发展。

        新的边缘功能使工程师能够灵活地执行针对其设备设计进行了优化的测量,并扩展了我们长期以来的经验MeasureOne合作伙伴与Keysight for硅光子学应用。新功能包括:

  • 用于光子设备的管芯和晶圆级边缘耦合提供了测量能力,可以紧密模拟设备操作
  • 使用我们的OptoVue™和OptoVue™Pro进行高级的原位光学定位器校准,可以更快地获得准确的测量结果
  • 封闭环境中的温度范围为-40至125°C
  • 单根光纤和光纤阵列的原位功率测量,以检查插入路径损耗
  • 是德科技将探针台控制和晶圆级测量集成在一起N7700210CWafer Prober TAP插件软件提供了测试步骤,可以将这些步骤添加到工作流程序列中,而无需仪器级编程命令
  • 具有Keysight 77系列光子仪器的可扩展平台,N437xE光波成分分析仪高达110GHz,以及基于PXIe的高度集成的模块化DC和RF产品缩短光电特性测试的时间

有关这些新边缘耦合功能的更多信息,请联系我们。

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