打破对FOWLP上铜Cu pad进行晶圆测试的神话

        三星和FormFactor合作开发了一种新的垂直MEMS技术，打破了对铜进行探测的神话。我们已经评估了一种针对铜探测而优化的新型MEMS探针材料。

        扇出型晶圆级封装（FOWLP）是当今发展最快的先进封装领域之一。当iPhone 7 A10处理器为其高端移动应用处理器采用扇出技术时，它的增长被点燃。据Yole Research称，预计到2022年，FOWLP规模将从2016年的3.2亿美元增长到25亿美元。 FOWLP引入了晶圆级测试要求的重大转变。

1. 由于具有扇出特性的能力，晶圆测试的原始间距可能会显着降低，远低于今天的100um-ish间距，低至30-40um间距，用于芯片分割和风扇之前的晶圆测试退房手续。
2. 在分割之前需要在晶片级进行更高质量的电气测试，以确保只有知道好的裸片才能通过扇出后端工艺。这需要更高水平的电源完整性（PI）和晶圆级的信号完整性（SI）。
3. FOWLP工艺还引入了新的测试插入可能性，其中需要直接探测Cu材料。由于空气中Cu的快速氧化，尤其是在高温下，由于担心Cres稳定性，人们普遍认为Cu的探测具有挑战性。此外，铜焊盘几乎是AI焊盘硬度的两倍。

随着这种转变，需要Cu垫探测，包括：

• 足够的非氧化探针冶金以擦洗氧化层，使探针不会粘在垫上
• 探头的几何形状和尖端形状允许穿透氧化层，以便在最佳超程下进行充分的擦洗
• 通过优化的清洁配方确保稳定和低接触电阻

三星和FormFactor合作开发了一种新的垂直MEMS技术，打破了“探测铜”的神话。我们已经评估了一种针对Cu探测优化的新型MEMS探针尖端材料。今年早些时候，我们展示了我们的评估过程以及FOWLP铜探测过程的有希望的结果，以及支持已知良好模具测试和降低音量至40um以下的能力。