TESLA200是一款专为IGBT/Power MOSFET （GaN, SiC, Si）器件在晶圆级测量而设计的新型晶圆功率半导体探测系统。支持高达3 kV（三轴）/ 10 kV（同轴）和200 A（标准）/ 600 A（高电流）的精确测量。
TESLA200是一款专为IGBT/Power MOSFET （GaN, SiC, Si）器件在晶圆级测量而设计的新型晶圆功率半导体探测系统。支持高达3 kV（三轴）/ 10 kV（同轴）和200 A（标准）/ 600 A（高电流）的精确测量。具有抗电弧解决方案，支持工程探针和量产探针卡。TESLA200具有-55°C到300°C全温范围测量能力，配置大功率镀金卡盘，以确保低接触电阻，薄片处理和功率耗散。安全和方便地集成了主流厂家的半导体功率参数分析仪，同时提供低噪音、完全防护和屏蔽的测试环境，以及经过认证的安全联锁系统。
